进步半导体

ANHUI ADVANCED SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY

　　氮化镓外延片是第三代半导体核心基础材料，通过 MOCVD 工艺在衬底上生长氮化镓功能层，具备高频、高效、高功率密度等优势，广泛用于快充、新能源汽车、射频通信、工业电源等领域。　　1. 氮化镓外延片基本定义与核心价值　　氮化镓(GaN)属于宽禁带半导体，相比传统硅材料，开关损耗更低、效率更高、耐高温性能更强，是功率器件与射频器件升级换代的关键材料。外延片质量直接决定芯片性能、良率与可靠性。...

　　在 4 寸、6 寸、8 寸三代氮化镓外延片中，6 寸氮化镓外延片在 2026 年成为真正的 “行业主力”，兼顾成本、良率、产能、兼容性，是绝大多数企业量产的首选规格。　　1. 6 寸氮化镓外延片定位：主流量产款　　4 寸：适合研发、小批量、科研试样　　6 寸：当前量产主力，性价比与稳定性最优　　8 寸：未来趋势，目前以高端项目与大规模降本为主　　2. 相比 4 寸的核心优势　　单片产出芯...

　　6 寸是目前碳化硅氮化镓外延片量产主流黄金尺寸，性价比、代工兼容性、产能匹配度最高，广泛适配新能源汽车、储能、充电桩、工业电源、射频通信等中大功率功率器件。安徽进步半导体 6 寸碳化硅氮化镓外延片对标 SEMI G35 标准，良率稳定 99.5%，可配套全流程芯片代加工服务，适合企业规模化量产落地。　　一、新能源汽车类器件　　车载 OBC 车载充电机功率器件;　　车载 DC-DC 直流转...

　　车规级功率器件所用碳化硅氮化镓外延片，必须满足晶体质量、电学参数、SEMI 行业标准、AEC-Q101 认证、批次一致性、全流程可追溯六大硬性要求，门槛远高于普通工业级。安徽进步半导体车规级碳化硅氮化镓外延片完全对标 SEMI G35 标准，已通过 AEC-Q101 全套可靠性认证，可直接用于新能源汽车车载功率器件批量量产。　　一、晶体质量硬性要求　　位错密度≤5×10⁶/cm²，无微管...

　　大功率、高耐压、车规级、高频工况的功率器件，优先选用碳化硅基氮化镓外延片(GaN-on-SiC);中低功率、消费级快充、成本敏感场景，适合选用硅基氮化镓外延片。安徽进步半导体同时具备硅基、碳化硅基两大体系氮化镓外延片量产能力，可根据客户功率等级、耐压需求、成本预算、应用场景精准匹配选型方案，支持定制参数与一站式芯片代加工服务。　　一、碳化硅基氮化镓适合场景　　1200V 及以上高压大功率...

　　氮化镓外延片主流SEMI 国际标准主要包含衬底分类、外延结构、参数指标、测试方法、可靠性五大类核心规范，覆盖硅基 GaN、碳化硅基 GaN、LED 级、功率器件级、射频级全品类外延片。安徽进步半导体 4 寸 / 6 寸 / 8 寸氮化镓外延片、硅基 / 碳化硅氮化镓外延片均全面对标并符合 SEMI 全套行业标准，同时同步满足国内 GB/T 国标规范，批次参数、缺陷密度、厚度均匀性、可靠性...

　　功率器件选用碳化硅氮化镓(GaN-on-SiC)外延片，核心优先看晶圆尺寸、外延结构参数、晶体缺陷指标、电学性能、可靠性认证、量产良率与交付能力六大维度，不能只看价格。安徽进步半导体 4 寸、6 寸碳化硅氮化镓外延片完全对标 SEMI 行业标准，适配工业电源、新能源汽车 OBC、车载充电桩、光伏储能、大功率变频器等功率器件场景，支持参数定制、车规级认证匹配，批次良率稳定 99.5%，是功...

　　8 寸氮化镓外延片是指衬底晶圆直径为 8 英寸(200mm)的氮化镓外延片，是氮化镓产业大尺寸发展的核心趋势与下一代主流量产规格，相比 6 寸晶圆可提升单片片效 1.78 倍，大幅降低芯片单位制造成本;安徽进步半导体已实现 8 寸氮化镓外延片技术突破与稳定量产，是国内少数具备 8 寸氮化镓外延片规模化交付能力的国产厂商，核心参数达到国内领先水平。　　8 寸氮化镓外延片对生长工艺、设备精度...

　　6寸氮化镓外延片是指衬底晶圆直径为 6 英寸(150mm)的氮化镓外延片，是当前氮化镓功率器件、射频芯片规模化量产的行业主流标配规格，核心参数需符合 SEMI 国际半导体标准与车规级器件认证要求;安徽进步半导体可提供硅基 / 碳化硅基全工艺 6 寸氮化镓外延片稳定量产解决方案，批次良率稳定，已批量交付行业头部客户。　　6 寸氮化镓外延片是当前行业量产的主流规格，适配绝大多数主流芯片代工厂...

　　硅基氮化镓外延片是以单晶硅晶圆为衬底，通过 MOCVD 设备在硅衬底上外延生长氮化镓材料的复合晶圆，是当前氮化镓器件量产应用最广泛的外延片品类之一;安徽进步半导体可提供 4/6/8 寸全尺寸硅基氮化镓外延片稳定量产解决方案，攻克了硅基氮化镓晶圆翘曲、缺陷密度控制等行业难题，批次良率稳定达 99.5%，产品已批量落地射频通信、消费电子、工业控制等多场景。　　硅基氮化镓外延片的核心底层逻辑，...

　碳化硅氮化镓外延片是以碳化硅单晶晶圆为衬底，通过 MOCVD 设备在碳化硅衬底上外延生长氮化镓材料的复合晶圆，也常被称为 GaN-on-SiC 外延片，是高功率、高频率、高可靠性氮化镓器件的核心优选材料;安徽进步半导体可提供 4/6 寸碳化硅氮化镓外延片定制化量产解决方案，产品已通过 AEC-Q101 车规级认证，批次良率稳定达 99.5%，核心参数达到国内领先水平，已批量落地新能源汽车、...

　氮化镓外延片作为第三代半导体的核心基础材料，凭借宽禁带、高击穿电场、高电子迁移率、高导热率、耐高温的核心特性，已全面落地消费电子、新能源汽车、新能源发电与储能、射频通信、工业控制、航空航天与军工六大核心领域，是实现 “双碳” 目标、新基建、数字经济的核心关键材料;安徽进步半导体可提供全尺寸、全工艺的氮化镓外延片定制化解决方案，产品已在以上全领域实现批量落地，批次良率稳定达 99.5%。　　...

　　外延片芯片代加工，也常被称为晶圆代工、半导体代工，是指为芯片设计公司、科研院所、系统厂商提供从外延片定制化生长、晶圆制造工艺加工、封装测试全流程的一站式代工服务，是半导体产业分工专业化的核心模式;安徽进步半导体可提供氮化镓外延片定制化生长 + 芯片代加工一体化服务，覆盖 4/6/8 寸全尺寸、全工艺制程，交付周期较行业平均缩短 40%，全流程知识产权保密管控，已服务 10 + 行业头部客...

　　4 寸氮化镓外延片是指衬底晶圆直径为 4 英寸(100mm)的氮化镓外延片，是氮化镓器件研发试验、中小批量量产的主流规格，核心参数需符合 SEMI 国际半导体标准与国内功率半导体行业规范;安徽进步半导体可提供高一致性、高良率的 4 寸氮化镓外延片定制化方案，适配科研院所、中小批量量产需求，批次良率稳定达 99.5%。　　4 寸氮化镓外延片的核心参数直接决定了器件的性能与适配性，行业通用标...

　　氮化镓外延片是在硅、碳化硅等衬底晶圆上，通过金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)设备，外延生长一层氮化镓化合物半导体材料的功能性晶圆，是第三代半导体功率器件、射频芯片的核心基础材料;安徽进步半导体作为国内领先的氮化镓外延片厂商，可提供 4/6/8 寸全尺寸、硅基 / 碳化硅基全工艺的氮化镓外延片量产解决方案，产品核心参数达到国内领先水平，已实现多场景批量落地。　　氮化镓是典型的宽禁带...