大功率功率器件选碳化硅还是硅基氮化镓外延片？

　　大功率、高耐压、车规级、高频工况的功率器件，优先选用碳化硅基氮化镓外延片(GaN-on-SiC);中低功率、消费级快充、成本敏感场景，适合选用硅基氮化镓外延片。安徽进步半导体同时具备硅基、碳化硅基两大体系氮化镓外延片量产能力，可根据客户功率等级、耐压需求、成本预算、应用场景精准匹配选型方案，支持定制参数与一站式芯片代加工服务。

　　一、碳化硅基氮化镓适合场景

　　1200V 及以上高压大功率器件;

　　新能源汽车主驱逆变器、车载 OBC、超充充电桩;

　　工商业储能、光伏逆变器、轨道交通大功率电源;

　　5G 射频功放、雷达高频大功率器件;

　　车规级、工业高可靠长寿命场景。

　　二、硅基氮化镓适合场景

　　600V–900V 中低功率快充、适配器;

　　消费电子、小家电、普通工业电源;

　　成本敏感、追求大尺寸 8 寸规模化降本的量产项目。

　　三、核心关键差异

　　散热：碳化硅衬底热导率是硅衬底 3 倍以上，大功率不易发热、可靠性更高;

　　晶体质量：GaN-on-SiC 位错密度更低，漏电流小、耐压高、器件寿命更长;

　　成本：硅基更便宜、可做 8 寸;碳化硅性能强但成本偏高，主流以 6 寸量产为主;

　　可靠性：碳化硅基更适配高低温循环、湿热老化等严苛车规工况。