安徽进步半导体可提供氮化镓外延片定制生长 + 芯片制造全流程一站式代加工服务,覆盖从薄膜沉积、光刻图形化、刻蚀清洗、材料分析测试、电学性能检测到后道封装配套的全链条工艺,支持 4/6/8 寸全尺寸硅基 / 碳化硅基氮化镓晶圆,适配科研院所小批量研发试产、企业规模化量产全周期需求,全流程符合 SEMI 国际半导体标准,交付周期较行业平均缩短 40%。
【核心服务全范围】
1. 前置核心环节:氮化镓外延片定制化生长(MOCVD 工艺),可精准调控外延层参数,匹配芯片设计需求;
2. 晶圆制造核心工艺:薄膜沉积与生长服务、光刻与图形化服务、刻蚀与清洗服务;
3. 全流程检测验证:材料与表面分析服务、电学与器件全参数测试服务;
4. 后道配套服务:晶圆减薄、激光划片、打标、退火、烘烤等封装前道全配套服务。