一、蓝宝石衬底(Al₂O₃)GaN 外延结构(最成熟、LED 主力)

　　典型结构(自上而下)：

　　p‑GaN 层(空穴导电)

　　多量子阱 MQW(InGaN/GaN)(发光核心)

　　n‑GaN 层(电子导电)

　　缓冲层(低温 GaN / AlN / U‑GaN)

　　蓝宝石衬底(c‑plane 为主)

　　特点：

　　成本低、良率高

　　主要用于：LED、中小功率光电器件

　　异质结构核心：低温缓冲层 + 非故意掺杂 GaN 过渡层 释放应力

　　二、SiC 衬底(6H‑SiC / 4H‑SiC)GaN 外延结构(射频、高频功率)

　　典型结构：

　　势垒层 AlGaN / N⁺ GaN 帽层

　　势阱 / 沟道层 i‑GaN

　　AlN 成核层 / 超薄 AlGaN 缓冲

　　SiC 衬底(高导热、低失配)

　　常用器件结构：

　　AlGaN/GaN HEMT 异质结(形成 2DEG 二维电子气)

　　射频功率器件、5G 基站、雷达核心结构

　　特点：

　　晶格失配小、导热极好

　　缺陷低、适合高压高频

　　三、硅衬底(Si <111>)GaN 外延结构(功率器件、快充、车载)

　　硅基 GaN 异质结构最复杂，因为晶格 / 热失配最大，必须多层缓冲。

　　典型结构(从下往上)：

　　AlGaN 势垒层

　　i‑GaN 沟道层

　　多层缓冲结构(关键)

　　AlN 成核层

　　AlGaN/GaN 超晶格缓冲(SLS)

　　渐变 Al 组分缓冲层

　　Si (111) 衬底

　　主流器件结构：

　　AlGaN/GaN HEMT

　　p‑GaN 栅极增强型 eMode GaN(常关型，车规 / 快充主流)

　　用途：

　　快充、服务器电源、光伏逆变器、车载 OBC、DC/DC

　　四、其他衬底(少量商用 / 研发)

　　1. 氧化镓衬底(Ga₂O₃)

　　结构：GaN/Ga₂O₃ 异质外延

　　方向：功率器件、紫外探测

　　2. 金刚石衬底(超高导热)

　　结构：AlN/GaN/ 金刚石

　　用于：超高频、超高温、极端功率器件(小批量)

　　快速总结(最实用版)

　　衬底核心异质结构特点典型器件结构

　　蓝宝石低温缓冲层 + InGaN/GaN 多量子阱LED 外延结构

　　SiCAlN 成核层 + AlGaN/GaN HEMT 异质结射频 / 功率 HEMT

　　Si(111)超晶格缓冲 + 渐变 AlGaN 缓冲 + 2DEG 异质结eMode p‑GaN 栅极 HEMT