优质氮化镓外延片供应商 —— 依托西电芜湖研究为平台，拥有MOCVD外延生长设备5台，可直接提供2英寸、6英寸、12英寸GaN氮化镓外延材料，年产能GaN氮化镓外延片3000片。 |
 | 硅基氮化镓外延片 GaN-on-silicon 4-8inch 硅基氮化镓外延片，可满足电力电子级射频功率器件应用 |
 | GaN电力电子器件 GaN power electronic devices 650V~1200V，10A-40A氮化镓电力电子器件。 |
| 人工钻石 GaN power electronic devices 高精度高纯度人工钻石，支持各种切割方式，支持IGI一钻一证。 |
| 外延片代加工、测试服务 GaN power electronic devices 提供各类晶圆、芯片、外延片测试加工服务 |
专业生产氮化镓外延片和培育钻石厂家，支持4~12英寸氮化镓外延片定制！
公司依托西电芜湖研究院在第三代半导体、微电子领域的科研积淀，共享院士团队、高端研发设备与中试平台资源，掌握氮化镓外延片核心生长工艺，可定制化生产硅基、蓝宝石基、碳化硅基氮化镓外延片，产品具备高均匀性、高结晶质量、低缺陷密度等优势，适配功率器件、微波射频、新能源电力电子等高端应用场景。
作为产学研深度融合的孵化企业，进步半导体以技术创新为核心，依托研究院成果转化中试基地支撑，实现氮化镓外延片从实验室研发到产业化落地的高效衔接，严格把控生产全流程品质，为客户提供稳定可靠的氮化镓材料产品与技术支持，助力第三代半导体产业国产化突破与高质量发展
安徽进步半导体科技有限公司，是依托西安电子科技大学芜湖研究院核心技术与平台优势孵化的高新技术企业西安电子科技大学芜湖研究院，深耕第三代半导体材料领域，专注氮化镓外延片研发、生产与销售，同步布局半导体材料技术服务，致力为全球功率器件、射频电子、5G 通信领域提供高品质氮化镓材料解决方案
质量稳定，性能突出
外延材料技术优秀
关键指标优秀
核心技术，提升价值
拥有多项核心技术获多项授权专利，并发表多项公开论文及高水平专著
全面评估，历经测试
依托西安电子科技大学芜湖研究院，建设氮化镓功率器件可靠性测试平台，具备氮化镓外延片及功率器件全参数的测量机极端环境可靠性评估能力。
自行研发，更新迭代
整合培训技术团队，通过对氮化镓外延片结构的设计、制造、更新迭代，完成应用于工业级的氮化镓产品的设计、研制、性能调试和定型。
·磁控溅射：用于金属或化合物薄膜的物理气相沉积。
·电子束蒸发：用于金属(Ti、Ni、Ag、Al等)蒸发沉积。
·等离子增强化学气相沉积(PECVD)：用于沉积SiO₂、SiNₓ等介质薄膜。
·金属有机化学气相沉积(MOCVD)：用于化合物半导体外延生长。
·光刻(SUSS光刻机)：支持投影式光刻，适用于2英寸至200mm晶圆。
·电子束光刻(EBL)：支持≤10nm高分辨率图形直写。
·等离子体去胶(灰化)：用于光刻胶去除。
·电感耦合等离子刻蚀(ICP)：高密度等离子体刻蚀，适用于SiO₂、SiNₓ等。
·RCA清洗：标准晶圆清洗工艺。
·水清洗、有机超声清洗：适用于4/6英寸晶片。
·甩干机：晶片脱水与烘烤。
·薄膜应力测试仪：测量薄膜应力引起的基板变形。
·光学膜厚测量仪：通过光谱反射测量薄膜厚度。
·三维光学轮廓仪：表面粗糙度与形貌分析。
·原子力显微镜(AFM)：纳米级表面形貌与物理性质分析。
·高分辨X射线衍射仪(HRXRD)：晶体结构、应力、物相分析。
·扫描近场光学显微镜与拉曼系统：化学成分、结晶度、形貌分析。
·光致发光测试(PL)：材料能带与缺陷分析。
·透射电子显微镜(TEM)：表面形貌与成分分析(需确认是否可用)。
·功率器件静态参数测试系统：导通电阻、阈值电压、击穿电压等。
·动态参数测试系统：开关特性、反向恢复、栅极电荷等。
·热特性测试系统：结壳热阻、热容、导热系数等。
·变温霍尔测试系统：载流子浓度、迁移率、电阻率测量。
·微光显微镜(EMMI)：缺陷定位与漏电分析。
·激光划片：高精度晶圆切割。
·打标机：晶圆激光标注。
·快速退火炉：晶圆退火处理。
·石墨承载盘烘烤：用于MOCVD后处理。
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