安徽进步半导体科技

ANHUI ADVANCED SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY

薄膜沉积与生长服务

·原子层沉积(ALD)：用于高质量氧化物、氮化物薄膜生长。

·磁控溅射：用于金属或化合物薄膜的物理气相沉积。

·电子束蒸发：用于金属(Ti、Ni、Ag、Al等)蒸发沉积。

·等离子增强化学气相沉积(PECVD)：用于沉积SiO₂、SiNₓ等介质薄膜。

·金属有机化学气相沉积(MOCVD)：用于化合物半导体外延生长。

·涂胶显影：支持最大8英寸晶圆或6×6英寸基板。

·光刻(SUSS光刻机)：支持投影式光刻，适用于2英寸至200mm晶圆。

·电子束光刻(EBL)：支持≤10nm高分辨率图形直写。

·等离子体去胶(灰化)：用于光刻胶去除。

刻蚀与清洗服务

·反应离子刻蚀(RIE)：干法刻蚀，适用于介质材料。

·电感耦合等离子刻蚀(ICP)：高密度等离子体刻蚀，适用于SiO₂、SiNₓ等。

·RCA清洗：标准晶圆清洗工艺。

水清洗、有机超声清洗：适用于4/6英寸晶片。

·甩干机：晶片脱水与烘烤。

材料与表面分析服务

·台阶仪：薄膜厚度与表面形貌测量。

·薄膜应力测试仪：测量薄膜应力引起的基板变形。

·光学膜厚测量仪：通过光谱反射测量薄膜厚度。

·三维光学轮廓仪：表面粗糙度与形貌分析。

·原子力显微镜(AFM)：纳米级表面形貌与物理性质分析。

·高分辨X射线衍射仪(HRXRD)：晶体结构、应力、物相分析。

·扫描近场光学显微镜与拉曼系统：化学成分、结晶度、形貌分析。

·光致发光测试(PL)：材料能带与缺陷分析。

·透射电子显微镜(TEM)：表面形貌与成分分析(需确认是否可用)。

电学与器件测试服务

·全自动探针台与测试系统：适用于二·半导体参数测试系统：I-V、C-V、脉冲测试等。

·功率器件静态参数测试系统：导通电阻、阈值电压、击穿电压等。

·动态参数测试系统：开关特性、反向恢复、栅极电荷等。

·热特性测试系统：结壳热阻、热容、导热系数等。

·变温霍尔测试系统：载流子浓度、迁移率、电阻率测量。

·微光显微镜(EMMI)：缺陷定位与漏电分析。

后道与封装相关服务

·晶圆减薄：适用于4/6英寸碳化硅晶圆。

·激光划片：高精度晶圆切割。

·打标机：晶圆激光标注。

·快速退火炉：晶圆退火处理。

·石墨承载盘烘烤：用于MOCVD后处理。

其他特殊服务

·聚焦离子束(FIB)：定点切割与截面分析。

·射频辉光放电光谱仪：元素分析与深度剖面。

·大束流离子注入：用于SiC功率器件掺杂。