历经各项测试 表现优秀
在外延厚度测试、翘曲测试、表面形貌测试、接触式霍尔测试中表现优秀，片内成膜均匀、完整
提升20%
与国际器件线性度对比
降低20%
与国际材料射频损耗对比
<0.55mm
边缘裂纹长度
GaN外延材料技术各项性能指标优异
优秀技术
攻克难题
材料射频损耗对比 (0.4dB/mm@40GHz) 器件线性度对比(-36.7dBc@26GHz)
性能卓越
进步的射频材料和电子材料性能优秀
高精尖设备 确保产能
拥有多台高精尖设备，可直接提供2~8英寸微波射频/电力电子应用GaN外延材料，年产能GaN外延片3000片
多项专利著作
掌握知识产权
拥有多项核心技术获多项授权专利，并发表多项公开论文及高水平专著