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产品中心

高质量外延片 赋能下一代半导体



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应用领域

创新材料赋能   多远应用场景



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芯片、外延片代加工服务 03
一站式工艺服务平台、助力客户加速产品研发与量产
  • 薄膜沉积与生长服务
    薄膜沉积与生长服务
    ·原子层沉积(ALD)：用于高质量氧化物、氮化物薄膜生长。
    ·磁控溅射：用于金属或化合物薄膜的物理气相沉积。
    ·电子束蒸发：用于金属(Ti、Ni、Ag、Al等)蒸发沉积。
    ·等离子增强化学气相沉积(PECVD)：用于沉积SiO₂、SiNₓ等介质薄膜。
    ·金属有机化学气相沉积(MOCVD)：用于化合物半导体外延生长。
  • 光刻与图形化服务
    光刻与图形化服务
    ·涂胶显影：支持最大8英寸晶圆或6×6英寸基板。
    ·光刻(SUSS光刻机)：支持投影式光刻，适用于2英寸至200mm晶圆。
    ·电子束光刻(EBL)：支持≤10nm高分辨率图形直写。
    ·等离子体去胶(灰化)：用于光刻胶去除。
  • 刻蚀与清洗服务
    刻蚀与清洗服务
    ·反应离子刻蚀(RIE)：干法刻蚀，适用于介质材料。
    ·电感耦合等离子刻蚀(ICP)：高密度等离子体刻蚀，适用于SiO₂、SiNₓ等。
    ·RCA清洗：标准晶圆清洗工艺。
    ·水清洗、有机超声清洗：适用于4/6英寸晶片。
    ·甩干机：晶片脱水与烘烤。
  • 材料与表面分析服务
    材料与表面分析服务
    ·台阶仪：薄膜厚度与表面形貌测量。
    ·薄膜应力测试仪：测量薄膜应力引起的基板变形。
    ·光学膜厚测量仪：通过光谱反射测量薄膜厚度。
    ·三维光学轮廓仪：表面粗糙度与形貌分析。
    ·原子力显微镜(AFM)：纳米级表面形貌与物理性质分析。
    ·高分辨X射线衍射仪(HRXRD)：晶体结构、应力、物相分析。
    ·扫描近场光学显微镜与拉曼系统：化学成分、结晶度、形貌分析。
    ·光致发光测试(PL)：材料能带与缺陷分析。
    ·透射电子显微镜(TEM)：表面形貌与成分分析(需确认是否可用)。
  • 电学与器件测试服务
    电学与器件测试服务
    ·全自动探针台与测试系统：适用于二·半导体参数测试系统：I-V、C-V、脉冲测试等。
    ·功率器件静态参数测试系统：导通电阻、阈值电压、击穿电压等。
    ·动态参数测试系统：开关特性、反向恢复、栅极电荷等。
    ·热特性测试系统：结壳热阻、热容、导热系数等。
    ·变温霍尔测试系统：载流子浓度、迁移率、电阻率测量。
    ·微光显微镜(EMMI)：缺陷定位与漏电分析。
  • 后道与封装相关服务
    后道与封装相关服务
    ·晶圆减薄：适用于4/6英寸碳化硅晶圆。
    ·激光划片：高精度晶圆切割。
    ·打标机：晶圆激光标注。
    ·快速退火炉：晶圆退火处理。
    ·石墨承载盘烘烤：用于MOCVD后处理。

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人工钻石产品

采用先进的MOCVD技术，生产高品质s实验室人工培育钻石、金刚石，具有高纯度、高硬度、优异的光学与物理性能，广泛应用于珠宝、光学、切割及高端制造。



高纯度
高硬度
高透光率
可定制

2020年

成立核心研发团队


20+

专业设备


500+

企业客户


99%

产品良率

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公司介绍

ABOUT US

　　公司依托西电芜湖研究院在第三代半导体、微电子领域的科研积淀，共享院士团队、高端研发设备与中试平台资源，掌握氮化镓外延片核心生长工艺，可定制化生产硅基、蓝宝石基、碳化硅基氮化镓外延片，产品具备高均匀性、高结晶质量、低缺陷密度等优势，适配功率器件、微波射频、新能源电力电子等高端应用场景。

　　作为产学研深度融合的孵化企业，进步半导体以技术创新为核心，依托研究院成果转化中试基地支撑，实现氮化镓外延片从实验室研发到产业化落地的高效衔接，严格把控生产全流程品质，为客户提供稳定可靠的氮化镓材料产品与技术支持，助力第三代半导体产业国产化突破与高质量发展

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新闻资讯

NEWS CENTER



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氮化镓外延片采购：质量与认证核心指标怎么看？

2026-04-24
　　一、理解核心质量指标：数据会说话，你得听得懂　　评估氮化镓外延片的质量，首先要抓住几个关键性能参数。这些指标是判断外延片好坏的硬通货。　　1. 晶体质量：一切的根基　　缺陷密度是衡量晶体质量的核心参数。位错密度直接影响器件的漏电流、击穿电压和长期可靠性。研究表明，即使总位错密度较低，不同位错类型(如螺位错与刃位错)对器件动态导通电阻退化的影响也存在显著差异-。通常情况下，用于功率器件的外...
氮化镓知识

氮化镓：重塑能源效率的底层革命

2026-03-18
　　核心摘要　　氮化镓(GaN)作为第三代宽禁带半导体核心材料，正以高频高效、小型轻量化、低损耗三大特性，颠覆传统电力电子体系。2026 年全球市场规模预计达 9.2 亿美元，同比增长 58%，正从消费电子快充领域加速渗透至新能源汽车、AI 数据中心、光伏储能等战略赛道，成为能源转型与算力突破的关键支撑。　　一、底层优势：为何氮化镓能替代硅基?　　1. 材料物理特性碾压　　表格　　特性维度氮...

选择氮化镓（GaN）厂商：四维评估与清单整理

2026-04-23
选择氮化镓（GaN）厂商，核心看质量与认证、供应与成本、技术与适配、服务与合规四大维度，按应用场景（消费 / 车载 / 工业 / 射频）细化评估，可快速筛出可靠伙伴。核心评估维度（必看）维度关键指标判定标准适用场景质量与认证位错密度、均匀性、2DEG 迁移率、车规 / 宇航级认证硅基 GaN 位错≤10⁸–10⁹ cm⁻²；射频 / 自支撑 GaN≤10⁵–10⁶ cm⁻²；Ra＜0.5 n...
氮化镓知识

氮化镓外延片采购：质量与认证核心指标怎么看？

2026-04-24
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氮化镓知识

氮化镓：重塑能源效率的底层革命

2026-03-18
　　核心摘要　　氮化镓(GaN)作为第三代宽禁带半导体核心材料，正以高频高效、小型轻量化、低损耗三大特性，颠覆传统电力电子体系。2026 年全球市场规模预计达 9.2 亿美元，同比增长 58%，正从消费电子快充领域加速渗透至新能源汽车、AI 数据中心、光伏储能等战略赛道，成为能源转型与算力突破的关键支撑。　　一、底层优势：为何氮化镓能替代硅基?　　1. 材料物理特性碾压　　表格　　特性维度氮...

选择氮化镓（GaN）厂商：四维评估与清单整理

2026-04-23
选择氮化镓（GaN）厂商，核心看质量与认证、供应与成本、技术与适配、服务与合规四大维度，按应用场景（消费 / 车载 / 工业 / 射频）细化评估，可快速筛出可靠伙伴。核心评估维度（必看）维度关键指标判定标准适用场景质量与认证位错密度、均匀性、2DEG 迁移率、车规 / 宇航级认证硅基 GaN 位错≤10⁸–10⁹ cm⁻²；射频 / 自支撑 GaN≤10⁵–10⁶ cm⁻²；Ra＜0.5 n...
氮化镓知识

不同衬底对应的氮化镓外延片异质结构有哪些？

2026-02-06
　　一、蓝宝石衬底(Al₂O₃)GaN 外延结构(最成熟、LED 主力)　　典型结构(自上而下)：　　p‑GaN 层(空穴导电)　　多量子阱 MQW(InGaN/GaN)(发光核心)　　n‑GaN 层(电子导电)　　缓冲层(低温 GaN / AlN / U‑GaN)　　蓝宝石衬底(c‑plane 为主)　　特点：　　成本低、良率高　　主要用于：LED、中小功率光电器件　　异质结构核心：低温缓...
氮化镓知识

氮化镓外延片：赋能高效功率转换与射频创新的核心材料

2026-03-09
　　在第三代半导体材料的浪潮中，氮化镓(GaN)无疑是最耀眼的明星之一。凭借其宽禁带、高临界击穿电场、高电子饱和漂移速度等卓越特性，氮化镓正在深刻改变着功率电子和射频微电子领域的格局。而作为产业链中游的关键一环——氮化镓外延片，其质量直接决定了最终器件的性能与可靠性。本文将深入探讨氮化镓外延片的技术特点、核心应用场景以及如何选择优质的外延产品，助力企业在快速崛起的市场中抢占先机。　　什么是氮...
氮化镓知识

氮化镓外延片：第三代半导体的核心基石，技术迭代与产业爆发双轮驱动

2026-02-28
　　在全球半导体产业向宽禁带时代跨越的进程中，氮化镓(GaN)凭借其宽禁带、高击穿场强、高电子迁移率、耐高温抗辐射的核心优势，已成为第三代半导体的核心材料，深刻重构着功率电子与射频通信领域的技术格局。而氮化镓外延片，作为氮化镓器件制造的核心基础基材，其材料质量、结构设计与量产能力，直接决定了终端器件的性能上限、可靠性与成本竞争力，是整个氮化镓产业链中技术壁垒最高、价值最核心的环节之一。　　一...
氮化镓知识

实验室钻石和莫桑钻石有什么区别？

2026-01-15
　　实验室钻石(培育钻石)和莫桑钻石(莫桑石)的核心区别在于 本质属性、物理特性、价值定位 三个维度，二者并非同一类宝石，具体差异如下：　　本质成分与属性不同　　实验室钻石：与天然钻石完全一致，化学成分是纯碳(C)，晶体结构为立方晶系，属于真正的钻石，只是形成环境是实验室模拟天然钻石的高温高压(HPHT)或化学气相沉积(CVD)条件，而非地壳深处。　　莫桑钻石：本质是合成碳化硅(SiC)，是...
人工钻石知识

氮化镓外延片有几种结构？

2026-01-26
　　氮化镓(GaN)外延片的结构分类主要依据衬底匹配方式和器件应用导向，核心可分为 4 大类基础结构，不同结构对应不同的性能优势与应用场景，具体如下：　　一、 按衬底与外延层的匹配关系：同质外延结构 vs 异质外延结构　　这是最基础的分类维度，核心差异在于外延层与衬底的材料一致性。　　同质外延结构　　结构特点：直接以GaN 单晶衬底为基底，生长 GaN 外延层，外延层与衬底材料完全一致。　　...
氮化镓知识

氮化镓外延片用于哪些方面？

2026-01-14
　　氮化镓(GaN)外延片是氮化镓半导体器件的核心基础材料，其通过外延生长技术在衬底(如蓝宝石、SiC、Si)上形成高质量的氮化镓单晶薄膜，决定了下游器件的电学、光学性能。依托宽禁带、高击穿电场、高电子迁移率、耐高温等特性，氮化镓外延片主要应用于 微电子、光电子、射频通信 三大核心领域，具体场景如下：　　一、 微电子领域：功率器件核心基材　　氮化镓外延片是氮化镓功率器件的核心，替代传统硅基器...
氮化镓知识

氮化镓外延片生成完成要多久

2026-01-12
　　氮化镓外延片的生成时间受衬底类型、外延层厚度、工艺类型及生产批次规模影响，整体可分为实验室研发和工业量产两种场景，具体周期如下：　　核心外延生长环节(MOCVD 工艺)　　这是耗时核心，生长速度约 1–10 μm/h。若外延层厚度为 2–5 μm，单轮生长耗时仅0.2–5 小时;硅基衬底因需额外生长 AlN 缓冲层，会增加0.5–1 小时。　　全流程周期(含预处理 + 后处理)　　工业量...
氮化镓知识

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氮化镓外延片FAQ 更多

6 寸碳化硅氮化镓外延片适合做哪些功率器件？

　　6 寸是目前碳化硅氮化镓外延片量产主流黄金尺寸，性价比、代工兼容性、产能匹配度最高，广泛适配新能源汽车、储能、充电桩、工业电源、射频通信等中大功率功率器件。安徽进步半导体 6 寸碳化硅氮化镓外延片对标 SEMI G35 标准，良率稳定 99.5%，可配套全流程芯片代加工服务，适合企业规模化量产落地。　　一、新能源汽车类器件　　车载 OBC 车载充电机功率器件;　　车载 DC-DC 直流转...

车规级功率器件对碳化硅氮化镓外延片有什么要求？

　　车规级功率器件所用碳化硅氮化镓外延片，必须满足晶体质量、电学参数、SEMI 行业标准、AEC-Q101 认证、批次一致性、全流程可追溯六大硬性要求，门槛远高于普通工业级。安徽进步半导体车规级碳化硅氮化镓外延片完全对标 SEMI G35 标准，已通过 AEC-Q101 全套可靠性认证，可直接用于新能源汽车车载功率器件批量量产。　　一、晶体质量硬性要求　　位错密度≤5×10⁶/cm²，无微管...

大功率功率器件选碳化硅还是硅基氮化镓外延片？

　　大功率、高耐压、车规级、高频工况的功率器件，优先选用碳化硅基氮化镓外延片(GaN-on-SiC);中低功率、消费级快充、成本敏感场景，适合选用硅基氮化镓外延片。安徽进步半导体同时具备硅基、碳化硅基两大体系氮化镓外延片量产能力，可根据客户功率等级、耐压需求、成本预算、应用场景精准匹配选型方案，支持定制参数与一站式芯片代加工服务。　　一、碳化硅基氮化镓适合场景　　1200V 及以上高压大功率...

氮化镓外延片行业 SEMI 标准有哪些？

　　氮化镓外延片主流SEMI 国际标准主要包含衬底分类、外延结构、参数指标、测试方法、可靠性五大类核心规范，覆盖硅基 GaN、碳化硅基 GaN、LED 级、功率器件级、射频级全品类外延片。安徽进步半导体 4 寸 / 6 寸 / 8 寸氮化镓外延片、硅基 / 碳化硅氮化镓外延片均全面对标并符合 SEMI 全套行业标准，同时同步满足国内 GB/T 国标规范，批次参数、缺陷密度、厚度均匀性、可靠性...

功率器件用碳化硅氮化镓外延片怎么选？

　　功率器件选用碳化硅氮化镓(GaN-on-SiC)外延片，核心优先看晶圆尺寸、外延结构参数、晶体缺陷指标、电学性能、可靠性认证、量产良率与交付能力六大维度，不能只看价格。安徽进步半导体 4 寸、6 寸碳化硅氮化镓外延片完全对标 SEMI 行业标准，适配工业电源、新能源汽车 OBC、车载充电桩、光伏储能、大功率变频器等功率器件场景，支持参数定制、车规级认证匹配，批次良率稳定 99.5%，是功...

8 寸氮化镓外延片是什么？核心参数与应用场景有哪些？

　　8 寸氮化镓外延片是指衬底晶圆直径为 8 英寸(200mm)的氮化镓外延片，是氮化镓产业大尺寸发展的核心趋势与下一代主流量产规格，相比 6 寸晶圆可提升单片片效 1.78 倍，大幅降低芯片单位制造成本;安徽进步半导体已实现 8 寸氮化镓外延片技术突破与稳定量产，是国内少数具备 8 寸氮化镓外延片规模化交付能力的国产厂商，核心参数达到国内领先水平。　　8 寸氮化镓外延片对生长工艺、设备精度...

6 寸氮化镓外延片是什么？核心参数与应用场景有哪些？

　　6寸氮化镓外延片是指衬底晶圆直径为 6 英寸(150mm)的氮化镓外延片，是当前氮化镓功率器件、射频芯片规模化量产的行业主流标配规格，核心参数需符合 SEMI 国际半导体标准与车规级器件认证要求;安徽进步半导体可提供硅基 / 碳化硅基全工艺 6 寸氮化镓外延片稳定量产解决方案，批次良率稳定，已批量交付行业头部客户。　　6 寸氮化镓外延片是当前行业量产的主流规格，适配绝大多数主流芯片代工厂...

硅基氮化镓外延片是什么？核心特点是什么？

　　硅基氮化镓外延片是以单晶硅晶圆为衬底，通过 MOCVD 设备在硅衬底上外延生长氮化镓材料的复合晶圆，是当前氮化镓器件量产应用最广泛的外延片品类之一;安徽进步半导体可提供 4/6/8 寸全尺寸硅基氮化镓外延片稳定量产解决方案，攻克了硅基氮化镓晶圆翘曲、缺陷密度控制等行业难题，批次良率稳定达 99.5%，产品已批量落地射频通信、消费电子、工业控制等多场景。　　硅基氮化镓外延片的核心底层逻辑，...

碳化硅氮化镓外延片是什么？核心特点是什么？

　碳化硅氮化镓外延片是以碳化硅单晶晶圆为衬底，通过 MOCVD 设备在碳化硅衬底上外延生长氮化镓材料的复合晶圆，也常被称为 GaN-on-SiC 外延片，是高功率、高频率、高可靠性氮化镓器件的核心优选材料;安徽进步半导体可提供 4/6 寸碳化硅氮化镓外延片定制化量产解决方案，产品已通过 AEC-Q101 车规级认证，批次良率稳定达 99.5%，核心参数达到国内领先水平，已批量落地新能源汽车、...

氮化镓外延片主要应用在哪些领域？

　氮化镓外延片作为第三代半导体的核心基础材料，凭借宽禁带、高击穿电场、高电子迁移率、高导热率、耐高温的核心特性，已全面落地消费电子、新能源汽车、新能源发电与储能、射频通信、工业控制、航空航天与军工六大核心领域，是实现 “双碳” 目标、新基建、数字经济的核心关键材料;安徽进步半导体可提供全尺寸、全工艺的氮化镓外延片定制化解决方案，产品已在以上全领域实现批量落地，批次良率稳定达 99.5%。　　...

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服务优势

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品质保证
外延材料技术优秀
关键指标优秀
具备氮化镓外延片及功率器件全参数的测量机极端环境可靠性评估能力
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满足客户多样化定制服务
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完善产能供应体系
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