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氮化镓势不可挡

2024-05-08
近日,三星电子在韩国举办的2023年三星晶圆代工论坛上宣布,将于2025年启动面向消费电子、数据中心和汽车应用的8英寸氮化镓(GaN)功率半导体代工服务。氮化镓作为宽禁带半导体的“门面”之一,近期随着技术的不断升级,性能被进一步开发,开始强势“破圈”,不再局限于快充等消费电子市场,而是向新能源汽车、数据中心、可再生能源等高速发展的热门领域持续推进。数据显示,2022年全球氮化镓功率器件市场规...

[科普] 增强型HEMT器件介绍

2024-05-08
随着电力转换系统功率密度和工作频率的不断提高 ,需要开发性能优于传统半导体的功率器件。氮化镓(GaN)作为第三代半导体材料的典型代表 ,被认为是提高大功率电力系统转换效率的新一代功率器件的主要候选材料。在操作类型方面 ,增强型(也称为常关型)器件具有安全 、能简化电路设计以及更优的电路拓扑设计等优势 ,在行业应用中更具吸引力。本文简单介绍下增强型HEMT。目前 ,在第三代半导体材料中 ,氮化...

MOCVD详解

2024-04-29
MOCVD是金属有机化合物化学气相淀积(Metal-organic Chemical Vapor Deposition)的英文缩写。MOCVD是在气相外延生长(VPE)的基础上发展起来的一种新型气相外延生长技术。这项技术起源于1968年,由美国洛克威公司的Manasevit等人提出。经过近20年的飞速发展,MOCVD成为了目前半导体化合物材料制备的关键技术之一。在MOCVD中,将超纯气体注入...

中国新材料产业未来发展方向——半导体材料

2024-04-29
1、硅片硅片位于半导体产业链上游,是半导体器件和太阳能电池的主要原材料,主要应用于光伏和半导体两个领域,下游需求近年来不断增长。分领域来看,光伏用硅片的产能大多集中在我国,中环、隆基等龙头公司实力强劲,生产技术水平全球领先;半导体硅片相对于光伏用硅片而言制作工艺更为复杂,应用场景也更多,市场价值更高,然而我国的半导体硅片产业起步晚,发展水平较为落后,全球市场被日本厂家垄断,市场主流的 12寸...

Si衬底GaN基射频材料研究

2024-04-29
本文是一篇介绍在Si衬底上外延生长GaN基材料并用于射频领域的综述,如何生长高质量的Si基GaN,是业内比较关注的问题。摘要 : Si 衬底因兼具大尺寸、低成本以及与现有 CMOS 工艺兼容等优势,使 Si 衬底上 GaN 基射频( RF) 电子材料和器 件成为继功率电子器件之后下一个该领域关注的焦点。 由于力学性质与低阻 Si 衬底不同,高阻 Si 衬底上 GaN 基外延材料生长的应力控制...

GaAs及GaN微波毫米波多功能集成电路芯片综述

2024-04-29
综合论述了 GaAs 和 GaN 微波毫米波的收发多功能芯片、幅相多功能芯片和 GaAs 限幅放大器集成芯片的发展状况、电路结构和性能特性,简述了收发多功能中的功率放大器和低噪声放大器的设计方法、幅相多功能中数字移相器和衰减器的设计方法,给出了限幅低噪声放大器中限幅器的设计参考。引 言微波单片集成电路(Microwave monolithic inte-grated circuit,...