MOCVD是金属有机化合物化学气相淀积(Metal-organic Chemical Vapor Deposition)的英文缩写。MOCVD是在气相外延生长(VPE)的基础上发展起来的一种新型气相外延生长技术。这项技术起源于1968年,由美国洛克威公司的Manasevit等人提出。经过近20年的飞速发展,MOCVD成为了目前半导体化合物材料制备的关键技术之一。在MOCVD中,将超纯气体注入...
本文是一篇介绍在Si衬底上外延生长GaN基材料并用于射频领域的综述,如何生长高质量的Si基GaN,是业内比较关注的问题。摘要 : Si 衬底因兼具大尺寸、低成本以及与现有 CMOS 工艺兼容等优势,使 Si 衬底上 GaN 基射频( RF) 电子材料和器 件成为继功率电子器件之后下一个该领域关注的焦点。 由于力学性质与低阻 Si 衬底不同,高阻 Si 衬底上 GaN 基外延材料生长的应力控制...