优质氮化镓外延片供应商 —— 拥有MOCVD外延生长设备5台,可直接提供2~8英寸微波射频/电力电子应用GaN外延材料,年产能GaN外延片3000片。 |
![]() | 硅基氮化镓外延片 GaN-on-silicon 4-8inch 硅基氮化镓外延片,可满足电力电子级射频功率器件应用 |
![]() | 多种衬底氮化镓外延片 Multiple substrate Gan epitaxial wafers 碳化硅、蓝宝石、氮化镓等多种类型衬底的氮化镓外延片 |
![]() | GaN电力电子器件 GaN power electronic devices 650V~1200V,10A-40A氮化镓电力电子器件。 |
质量稳定,性能突出
外延材料技术优秀
关键指标优秀
核心技术,提升价值
拥有多项核心技术获多项授权专利,并发表多项公开论文及高水平专著
全面评估,历经测试
依托西安电子科技大学芜湖研究院,建设氮化镓功率器件可靠性测试平台,具备氮化镓外延片及功率器件全参数的测量机极端环境可靠性评估能力。
自行研发,更新迭代
整合培训技术团队,通过对氮化镓外延片结构的设计、制造、更新迭代,完成应用于工业级的氮化镓产品的设计、研制、性能调试和定型。